MOSFET Nexperia, canale N, 10,2 mΩ, 89 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-2415
Codice costruttore:: PSMN7R0-60YS,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 10,2 mΩ, 89 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)

0,871 €

(IVA esclusa)

1,063 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina*
1500 +	0,871 €	1.306,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 124-2415
Codice costruttore:: PSMN7R0-60YS,115
Costruttore:: Nexperia

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: PH

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

Transistor MOSFET, NXP Semiconductors

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	89 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	10,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	117 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.1mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	45 nC a 10 V
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C