MOSFET Nexperia, canale N, 8,3 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 103-8127
Codice costruttore:: PSMN5R5-60YS,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 8,3 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)**

1,109 €

(IVA esclusa)

1,353 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
1500 +	1,109 €	1.663,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 103-8127
Codice costruttore:: PSMN5R5-60YS,115
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	8,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	130 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	56 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.1mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 8,3 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

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