MOSFET Nexperia, canale N 60 V, 8.3 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie PSMN5R5-60YS,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
798-2996
Codice costruttore:
PSMN5R5-60YS,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

4.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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