MOSFET Nexperia, canale N, 10,2 mΩ, 89 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 798-3028
Codice costruttore:: PSMN7R0-60YS,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 10,2 mΩ, 89 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 798-3028
Codice costruttore:: PSMN7R0-60YS,115
Costruttore:: Nexperia

PSMN7R0-60YS, N-channel LFPAK 60V, 6.4mΩ standard level MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	89 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	10,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	117 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	45 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.1mm

MOSFET Nexperia, canale N, 10,2 mΩ, 89 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

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