MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 10.2 mΩ Miglioramento, 89 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie PSMN7R0-60YS,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
798-3028
Codice costruttore:
PSMN7R0-60YS,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

89A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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