MOSFET Nexperia, canale N 60 V, 10.2 mΩ Miglioramento, 89 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie PSMN7R0-60YS,115

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:

Alternativa

Prodotto al momento non disponibile. Ti suggeriamo la seguente alternativa.

presentation
MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.0095 Ω, 60 A, PowerPAK SO-8L, Superficie SIJ482DP-T1-GE3
Codice RS
256-7418

Unità (Su Bobina da 3000)

2.436,00 €

(IVA esclusa)

2.971,92 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
798-3028
Codice costruttore:
PSMN7R0-60YS,115
Costruttore:
Nexperia
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

89A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.