MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 18.4 mΩ Miglioramento, 76 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie

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Codice RS:
151-3378
Codice costruttore:
PSMN8R5-60YS,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

76A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

106W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.1 mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N 40 V - 60 V. MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).

MOSFET a canale N LFPAK di livello standard da 60 V, 8 mΩ. MOSFET a canale N di livello standard in contenitore LFPAK qualificato per l’uso a 175 °C. Questo prodotto è progettato e qualificato per l'uso in un'ampia gamma di apparecchiature industriali, per le comunicazioni e domestiche.

L’avanzata tecnologia TrenchMOS fornisce RDSon e carica di gate basse

Guadagni di elevata efficienza in convertitori di potenza di commutazione

Caratteristiche meccaniche e termiche migliorate

LFPAK fornisce la massima densità di potenza in un contenitore Power SO8

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