Codice costruttore

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 40 V, 58.3 mΩ Miglioramento, 25 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie

Codice RS:: 153-2815
Codice costruttore:: BUK9Y29-40E,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 40 V, 58.3 mΩ Miglioramento, 25 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

453,00 €

(IVA esclusa)

552,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina*
1500 +	0,302 €	453,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 153-2815
Codice costruttore:: BUK9Y29-40E,115
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	BUK9Y2940E
	Tipo di package	LFPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	58.3mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	37W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	15V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	4.1mm
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.05mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 25A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie BUK9Y2940E
	Tipo di package LFPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 58.3mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 37W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 15V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 4.1mm
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.05mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET a canale N di livello logico da 29 mΩ, 40 V, in contenitore LFPAK56. MOSFET a canale N di livello logico in contenitore LFPAK56 (Power SO8) che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato e qualificato sulla base della norma AEC-Q101 per l'uso in applicazioni ad alte prestazioni nel settore automobilistico.

Conforme a Q101

Valori a valanga ripetitivi

Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

Stadio pilota di livello logico reale con valore nominale VGS(th) superiore a 0,5 V a 175°C

Sistemi automobilistici da 12 V

Controllo di motori, lampade e solenoidi

Controllo della trasmissione

Commutazione di potenza con prestazioni estremamente elevate

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