MOSFET Nexperia, canale Tipo N 40 V, 15.28 mΩ Miglioramento, 79 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie BUK9Y7R6-40E,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
153-2862
Codice costruttore:
BUK9Y7R6-40E,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

79A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

BUK9Y7R640E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15.28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

95W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

15 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.1 mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale N di livello logico da 7,6 mΩ, 40 V, in contenitore LFPAK56. MOSFET a canale N di livello logico in contenitore LFPAK56 (Power SO8) che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato e qualificato sulla base della norma AEC-Q101 per l'uso in applicazioni ad alte prestazioni nel settore automobilistico.

Conforme a Q101

Valori a valanga ripetitivi

Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

Stadio pilota di livello logico reale con valore nominale VGS(th) superiore a 0,5 V a 175°C

Sistemi automobilistici da 12 V

Controllo di motori, lampade e solenoidi

Controllo della trasmissione

Commutazione di potenza con prestazioni estremamente elevate

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