MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 2 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R5-30YLC,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
816-6969
Codice costruttore:
PSMN1R5-30YLC,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.05mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N, fino a 30 V.


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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