MOSFET Nexperia, canale N, 1,65 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 798-2906
Codice costruttore:: PSMN1R2-30YLC,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 1,65 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 798-2906
Codice costruttore:: PSMN1R2-30YLC,115
Costruttore:: Nexperia

PSMN1R2-30YLC, N-channel 30V, 1.25mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	1,65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.95V
Tensione di soglia gate minima	1.05V
Dissipazione di potenza massima	215 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.1mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	78 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 1,65 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N, fino a 30 V.

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