MOSFET Nexperia, canale N 30 V, 1.65 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie PSMN1R2-30YLC,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
798-2906
Codice costruttore:
PSMN1R2-30YLC,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

215W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale N, fino a 30 V.


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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