MOSFET Nexperia, canale Tipo N 40 V, 15.28 mΩ Miglioramento, 79 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie

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Codice RS:
153-2826
Codice costruttore:
BUK9Y7R6-40E,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

79A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

BUK9Y7R640E

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15.28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

15V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

95W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.5nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.1mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale N di livello logico da 7,6 mΩ, 40 V, in contenitore LFPAK56. MOSFET a canale N di livello logico in contenitore LFPAK56 (Power SO8) che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato e qualificato sulla base della norma AEC-Q101 per l'uso in applicazioni ad alte prestazioni nel settore automobilistico.

Conforme a Q101

Valori a valanga ripetitivi

Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

Stadio pilota di livello logico reale con valore nominale VGS(th) superiore a 0,5 V a 175°C

Sistemi automobilistici da 12 V

Controllo di motori, lampade e solenoidi

Controllo della trasmissione

Commutazione di potenza con prestazioni estremamente elevate

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