MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 250 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

4404,00 €

(IVA esclusa)

5373,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,468 €4.404,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
189-0260
Codice costruttore:
NTMJS1D6N06CLTWG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

250A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTMJS1D6N06CL

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

91nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.9 mm

Altezza

1.2mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak8, Standard Industriale

Questi Dispositivi Sono Privi Di Piombo

Link consigliati