MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 250 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 189-0312
Codice costruttore:: NTMJS1D6N06CLTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 250 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 189-0312
Codice costruttore:: NTMJS1D6N06CLTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMJS1D6N06CLTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	250 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	LFPAK8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	2,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	167 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	91 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	5mm
Larghezza	4.9mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.2mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 250 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

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