MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 250 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie NTMJS1D6N06CLTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
189-0312
Codice costruttore:
NTMJS1D6N06CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

250A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTMJS1D6N06CL

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

91nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.2mm

Larghezza

4.9 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak8, Standard Industriale

Questi Dispositivi Sono Privi Di Piombo

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