MOSFET onsemi, canale N, 31,5 mΩ, 27 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2550
Codice costruttore:: NVMYS021N06CLTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 31,5 mΩ, 27 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Prezzo per 1 confezione da 50 unità**

14,40 €

(IVA esclusa)

17,55 €

(IVA inclusa)

2900 disponibile per la consegna entro 1 - 2 giorni lavorativi per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzini in Europa). Accedi e verifica i tempi di consegna nel carrello*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Clicca qui per verificare la disponibilità

Unità	Per unità	Per confezione**
50 +	0,288 €	14,40 €

**prezzo indicativo

Confronta

Codice RS:: 195-2550
Codice costruttore:: NVMYS021N06CLTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVMYS021N06CLTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	27 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	31,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	28 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Larghezza	4.25mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	5 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.15mm

MOSFET onsemi, canale N, 31,5 mΩ, 27 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Link consigliati