MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 31.5 mΩ Miglioramento, 27 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie NTMYS021N06CLTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2535
Codice costruttore:
NTMYS021N06CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NTMYS021N06CL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

28W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.25 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.15mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Questi dispositivi sono senza piombo

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