MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 21.5 mΩ Miglioramento, 36 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie NVMYS014N06CLTWG

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 30 unità*

17,04 €

(IVA esclusa)

20,79 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 9000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
30 +0,568 €17,04 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2544
Codice costruttore:
NVMYS014N06CLTWG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NVMYS014N06CL

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

37W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.25 mm

Altezza

1.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con DPAK ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni automobilistiche che richiedono una maggiore affidabilità a livello di scheda.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Capacità PPAP

Questi dispositivi sono senza piombo

Link consigliati