MOSFET onsemi, canale N 40 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 258 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

4062,00 €

(IVA esclusa)

4956,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 novembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,354 €4.062,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
189-0262
Codice costruttore:
NTMYS1D2N04CLTWG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

258A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTMYS1D2N04CL

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

134W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

109nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.9mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza industriale in un contenitore LFPAK 5x6mm progettato per design compatti ed efficienti e con elevate prestazioni termiche.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.