MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 258 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 189-0262
Codice costruttore:: NTMYS1D2N04CLTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 258 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

1,197 €

(IVA esclusa)

1,46 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	1,197 €	3.591,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 189-0262
Codice costruttore:: NTMYS1D2N04CLTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMYS1D2N04CLTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	258 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	LFPAK8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	134 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	5mm
Larghezza	4.9mm
Carica gate tipica @ Vgs	109 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.2mm

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 258 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

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