MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 17.6 mΩ Miglioramento, 38 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie

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Codice RS:
195-2530
Codice costruttore:
NTMYS010N04CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTMYS010N04CL

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

28W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.25 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.15mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Questi dispositivi sono senza piombo

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