MOSFET onsemi, canale N, 17,6 mΩ, 38 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2545
Codice costruttore:: NVMYS010N04CLTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 17,6 mΩ, 38 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità**

837,00 €

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Confronta

Codice RS:: 195-2545
Codice costruttore:: NVMYS010N04CLTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVMYS010N04CLTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	38 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	17,6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	28 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.25mm
Carica gate tipica @ Vgs	7,3 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.15mm

MOSFET onsemi, canale N, 17,6 mΩ, 38 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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