MOSFET onsemi, canale N, 17,6 mΩ, 37 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-0284
Codice costruttore:: NTMFS5C468NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 17,6 mΩ, 37 A, DFN, Montaggio superficiale

Prezzo per 1 bobina da 1500 unità**

195,00 €

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Codice RS:: 163-0284
Codice costruttore:: NTMFS5C468NLT1G
Costruttore:: onsemi

NTMFS5C468NL Power MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	37 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	5
Resistenza massima drain source	17,6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	28 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.1mm
Lunghezza	5.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	7,3 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 17,6 mΩ, 37 A, DFN, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 40V, ON Semiconductor

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