MOSFET onsemi, canale N, 9 mΩ, 51 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 172-3329
Codice costruttore:: NVMFS4C310NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 9 mΩ, 51 A, DFN, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)**

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Codice RS:: 172-3329
Codice costruttore:: NVMFS4C310NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheets
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	51 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	DFN
Serie	NVMFS4C310N
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	32 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.1mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	6.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	9,7 nC a 4,5 V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.1V
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 9 mΩ, 51 A, DFN, Montaggio superficiale

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