MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 330 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

4671,00 €

(IVA esclusa)

5700,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,557 €4.671,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
189-0257
Codice costruttore:
NTMJS0D9N04CLTWG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

330A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NTMJS0D9N04CL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

143nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.9 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza industriale in un contenitore LFPAK 5x6mm progettato per design compatti ed efficienti e con elevate prestazioni termiche.

Link consigliati