MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 258 A., LFPAK8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 189-0351
Codice costruttore:: NTMYS1D2N04CLTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 258 A., LFPAK8, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 189-0351
Codice costruttore:: NTMYS1D2N04CLTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMYS1D2N04CLTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	258 A.
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	LFPAK8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	134 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.9mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	109 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.2mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 258 A., LFPAK8, Montaggio superficiale

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