MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 258 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie NTMYS1D2N04CLTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
189-0351
Codice costruttore:
NTMYS1D2N04CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

258A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTMYS1D2N04CL

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

109nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

134W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.2mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.9 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza industriale in un contenitore LFPAK 5x6mm progettato per design compatti ed efficienti e con elevate prestazioni termiche.

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