MOSFET onsemi, canale N, 5,3 mΩ, 71 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2519
Codice costruttore:: NTMYS5D3N04CTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 5,3 mΩ, 71 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 195-2519
Codice costruttore:: NTMYS5D3N04CTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NTMYS5D3N04CTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	71 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	5,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	50 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	16 a 10 V nC
Larghezza	4.25mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Altezza	1.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 5,3 mΩ, 71 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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