MOSFET Nexperia, canale Tipo N 100 V, 2.28 mΩ Miglioramento, 255 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN2R3-100SSEJ

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Codice RS:
219-455
Codice costruttore:
PSMN2R3-100SSEJ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

255A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

PSM

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

161nC

Dissipazione di potenza massima Pd

341W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET Nexperia a canale N è caratterizzato da una RDS(on) molto bassa e da una maggiore sicurezza nell'area di funzionamento in un pacchetto LFPAK88 ad alta affidabilità con clip in rame. È ottimizzato per i controllori hot-swap, in grado di sopportare elevate correnti di spunto e di ridurre al minimo le perdite I²R per una maggiore efficienza. Le applicazioni includono hot-swap, commutazione del carico, avvio graduale e fusibili elettronici.

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Pacchetto LFPAK88 per applicazioni che richiedono le massime prestazioni

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