MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 1.05 mΩ Miglioramento, 233 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NTMFS1D1N04XMT1G
- Codice RS:
- 220-597
- Codice costruttore:
- NTMFS1D1N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 10 unità*
13,60 €
(IVA esclusa)
16,60 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 05 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,36 € | 13,60 € |
| 100 - 240 | 1,29 € | 12,90 € |
| 250 - 490 | 1,198 € | 11,98 € |
| 500 - 990 | 1,10 € | 11,00 € |
| 1000 + | 1,06 € | 10,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-597
- Codice costruttore:
- NTMFS1D1N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 233A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.05mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 104W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 49.1nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 5.15 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 233A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package DFN-5 | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.05mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 104W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49.1nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 5.15 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
La tecnologia MOSFET di potenza di ON Semiconductor con la migliore resistenza di accensione della categoria per le applicazioni di pilotaggio dei motori. Una minore resistenza di accensione e una minore carica di gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di pilotaggio. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.
Senza alogeni
Conformità RoHS
