MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 195 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NTMFS1D3N04XMT1G
- Codice RS:
- 220-599
- Codice costruttore:
- NTMFS1D3N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 220-599
- Codice costruttore:
- NTMFS1D3N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 195A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 90W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 195A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package DFN-5 | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 90W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
La tecnologia MOSFET di potenza di ON Semiconductor con la migliore resistenza di accensione della categoria per le applicazioni di pilotaggio dei motori. Una minore resistenza di accensione e una minore carica di gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di pilotaggio. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.
Senza alogeni
Conformità RoHS
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