MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 3 mΩ Miglioramento, 135 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NTMFS3D5N08XT1G
- Codice RS:
- 220-551
- Codice costruttore:
- NTMFS3D5N08XT1G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,608 € | 8,04 € |
| 50 - 95 | 1,524 € | 7,62 € |
| 100 - 495 | 1,414 € | 7,07 € |
| 500 - 995 | 1,30 € | 6,50 € |
| 1000 + | 1,258 € | 6,29 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-551
- Codice costruttore:
- NTMFS3D5N08XT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 135A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS3 | |
| Tipo di package | DFN-5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 119W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 5.15 mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 135A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie NTMFS3 | ||
Tipo di package DFN-5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 119W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 5.15 mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
La tecnologia MOSFET di potenza di ON Semiconductor con la migliore resistenza di accensione della categoria per le applicazioni di pilotaggio dei motori. Una minore resistenza di accensione e una minore carica di gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di pilotaggio. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.
Senza alogeni
Conformità RoHS
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