MOSFET onsemi, canale N, 2,8 mΩ, 157 A, DFN, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale on Semiconductor DFN5 è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 2,8 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua massima di 157A e una dissipazione di potenza massima di 166W. La tensione di pilotaggio per questo MOSFET è 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• MOSFET di potenza per uso automobilistico
• Design compatto ed efficiente
• prestazioni termiche elevate
• senza piombo (Pb)
• QG basso e capacità per ridurre al minimo le perdite di driver
• RDS basso (ON) per ridurre al minimo Le Perdite di conduzione
• Riduce Al Minimo le perdite del conducente
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.
• opzione fianco Bagnabile disponibile per una migliore ispezione ottica

• convertitore CC-CC
• interruttore di carico
• Controllo motori
• interruttori di alimentazione (driver lato alto, driver lato basso, ponti H, ecc.)
• alimentatori switching

• AEC−Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007