MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 157 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS6H801NT1G

Codice RS:: 178-4450
Codice costruttore:: NVMFS6H801NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 157 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS6H801NT1G

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

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Codice RS:: 178-4450
Codice costruttore:: NVMFS6H801NT1G
Costruttore:: onsemi

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Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	157A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Tipo di package	DFN
	Serie	NVMFS6H801N
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	2.8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	166W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	64nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	1.05mm
	Lunghezza	5.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 157A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Tipo di package DFN
	Serie NVMFS6H801N
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 166W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 64nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 1.05mm
	Lunghezza 5.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: MY

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.

Caratteristiche

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Bassa resistenza RDS(on)

QG e capacità bassi

NVMFS6H801NWF - Opzione con fiancata bagnabile

Capacità PPAP

Vantaggi

Design compatto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Ispezione visiva migliorata

Applicazioni

Alimentatori switching

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Sistemi da 48 V

Prodotti finali

Controllo motori

Convertitore CC/CC

Interruttore di carico

MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 157 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS6H801NT1G

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