MOSFET Nexperia, canale Tipo N 80 V, 445 mΩ Miglioramento, 2.8 A, 8 Pin, DFN, Superficie PMPB215ENEAX

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-3200
Codice costruttore:
PMPB215ENEAX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

445mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

15.6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.1mm

Larghezza

2.1 mm

Altezza

0.65mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

80 V, MOSFET Trench a canale N singolo. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore di media potenza in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) DFN2020MD-6 (SOT1220) senza terminali che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore in plastica SMD piccolo e senza cavi ultra sottile: 2 x 2 x 0,65 mm

Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica

Tamponi laterali saldabili al 100% con placcatura in stagno per l’ispezione a saldare ottica

Qualifica AEC-Q101

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