MOSFET Nexperia, canale N 12 V, 121 mΩ Miglioramento, 3.2 A, 4 Pin, DFN, Superficie

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Codice RS:
153-0715
Codice costruttore:
PMXB40UNEZ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

121mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Dissipazione di potenza massima Pd

8.33W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

66nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.15mm

Larghezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

360μm

Standard automobilistico

No

MOSFET Trench a canale N da 12 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e sottile, senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm

Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 1 kV

Resistenza in stato attivo drain-source RDSon molto bassa = 34 mΩ

Tensione di soglia molto bassa di soli 0,65 V per applicazioni portatili

Interruttore di carico low-side e interruttore di carica per dispositivi portatili

Gestione dell'alimentazione in dispositivi portatili a batteria

Driver LED

Convertitori c.c.-c.c.

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