MOSFET Nexperia, canale N, 121 mΩ, 3,2 A, DFN1010D-3, Montaggio superficiale

Codice RS:: 153-0715
Codice costruttore:: PMXB40UNEZ
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 121 mΩ, 3,2 A, DFN1010D-3, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,076 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,076 €	380,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 153-0715
Codice costruttore:: PMXB40UNEZ
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,2 A
Tensione massima drain source	12 V
Tipo di package	DFN1010D-3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	121 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.9V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	8,33 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	8 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	1.15mm
Larghezza	1.05mm
Carica gate tipica @ Vgs	66 nC a 10 V
Altezza	0.36mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 121 mΩ, 3,2 A, DFN1010D-3, Montaggio superficiale

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