MOSFET Nexperia, canale Tipo P -12 V, 880 mΩ Miglioramento, -3.2 A, 4 Pin, DFN, Superficie PMXB65UPEZ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-3145
Codice costruttore:
PMXB65UPEZ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-3.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-12V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

880mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

8.33W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

360μm

Larghezza

1.05mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P. La soluzione perfetta per il proprio progetto quando i canali N semplicemente non sono idonei. La nostra ampia scelta di MOSFET include anche molte famiglie di dispositivi a canale P, basati su tecnologia Trench leader del settore firmata Nexperia. Con un valore nominale da 12 V a 70 V e alloggiati in contenitori a bassa e media potenza, offrono la nostra nota combinazione di alta efficienza ed elevata affidabilità.

12 V, MOSFET Trench a canale P. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un contenitore ultra-piccolo senza terminale in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) DFN1010D-3 (SOT1215) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile, senza cavi: 1,1 x 1 x 0,37 mm

Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 1,5 kV HBM

Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 59 mΩ

Bassa tensione di soglia gate-source per le applicazioni portatili VGS(th) = -0,68 V

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