MOSFET Nexperia, canale P, 880 mΩ, 3,2 A, DFN1010D-3, Montaggio superficiale

MOSFET a canale P. La soluzione perfetta per il proprio progetto quando i canali N semplicemente non sono idonei. La nostra ampia scelta di MOSFET include anche molte famiglie di dispositivi a canale P, basati su tecnologia Trench leader del settore firmata Nexperia. Con un valore nominale da 12 V a 70 V e alloggiati in contenitori a bassa e media potenza, offrono la nostra nota combinazione di alta efficienza ed elevata affidabilità.

12 V, MOSFET Trench a canale P. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un contenitore ultra-piccolo senza terminale in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) DFN1010D-3 (SOT1215) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench
Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile, senza cavi: 1,1 x 1 x 0,37 mm
Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 1,5 kV HBM
Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 59 mΩ
Bassa tensione di soglia gate-source per le applicazioni portatili VGS(th) = -0,68 V