1 MOSFET Nexperia Singolo, canale Tipo N, DFN Miglioramento, 4 Pin PMXB43UNEZ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
153-1890
Codice costruttore:
PMXB43UNEZ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di package

DFN

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.05 mm

Altezza

0.36mm

Lunghezza

1.15mm

Numero elementi per chip

1

MOSFET a canale N ≤ 20 V, ottieni le soluzioni di commutazione ottimali per i tuoi progetti portatili, scegli tra un'ampia gamma di MOSFET a canale N singolo e doppio fino a 20 V. Eccellente affidabilità grazie alle nostre affidabili tecnologie TrenchMOS e contenitore. Facili da usare, i nostri MOSFET a bassa tensione sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze delle applicazioni portatili con basse tensioni di azionamento.

Transistor MOSFET Trench a canale N a 20 V, transistor a effetto di campo (FET) a canale N in modalità di potenziamento in un contenitore in plastica per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) DFN1010D-3 (SOT1215) senza piombo e di dimensioni ridotte che utilizza la tecnologia Trench MOSFET.

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e sottile senza fili: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Pad di drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica

Resistenza on-state Drain-Source molto bassa RDSon = 42 mΩ

Protezione ESD da 1 kV

Interruttore di carico lato basso e interruttore di ricarica per dispositivi portatili

Gestione dell'alimentazione in dispositivi portatili alimentati a batteria

Driver LED

Convertitori c.c.-c.c.

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