MOSFET Nexperia, canale N, 120 mΩ, 3,2 A, DFN1010D-3, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N ≤ 20 V. Ottieni le soluzioni di commutazione migliori per i tuoi progetti portatili. Scegli da un’ampia varietà di MOSFET singoli e doppi a canale N fino a 20 V. Grande affidabilità grazie al nostro TrenchMOS consolidato e alla tecnologia dei contenitori. I nostri MOSFET a bassa tensione, facili da usare, sono progettati appositamente per soddisfare le esigenze di applicazioni portatili con tensioni di attivazione ridotte.

MOSFET Trench a canale N da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench
Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e sottile, senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm
Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica
Resistenza in stato attivo drain-source RDSon molto bassa = 42 mΩ
Protezione ESD a 1 kV
Interruttore di carico low-side e interruttore di carica per dispositivi portatili
Gestione dell'alimentazione in dispositivi portatili a batteria
Driver LED
Convertitori c.c.-c.c.