MOSFET Nexperia, canale N 80 V, 202 mΩ Miglioramento, 4.1 A, 8 Pin, DFN, Superficie

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Codice RS:
151-3030
Codice costruttore:
PMPB95ENEAX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

202mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

15.6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.9nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.1mm

Altezza

650μm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

80 V, MOSFET Trench a canale N singolo. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore di media potenza in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) DFN2020MD-6 (SOT1220) senza terminali che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore in plastica SMD piccolo e senza cavi ultra sottile: 2 x 2 x 0,65 mm

Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica

Tamponi laterali saldabili al 100% con placcatura in stagno per l’ispezione a saldare ottica

Qualifica AEC-Q101

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