Codice costruttore

MOSFET Nexperia, canale Tipo P -20 V, 950 mΩ Miglioramento, -2.9 A, 4 Pin, DFN, Superficie

Codice RS:: 153-0723
Codice costruttore:: PMXB75UPEZ
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale Tipo P -20 V, 950 mΩ Miglioramento, -2.9 A, 4 Pin, DFN, Superficie

Prezzo per 5000 unità, in una bobina da 5000*

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Codice RS:: 153-0723
Codice costruttore:: PMXB75UPEZ
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	-2.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	-20V
	Tipo di package	DFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	950mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	8.33W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6.8nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	8V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	1.15mm
	Altezza	360μm
	Larghezza	1.05mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Nexperia
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id -2.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds -20V
	Tipo di package DFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 950mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 8.33W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.8nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 1.15mm
	Altezza 360μm
	Larghezza 1.05mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET Trench a canale P da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un contenitore di plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm

Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 1,5 kV HBM

Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 69 mΩ

Bassa tensione di soglia gate-source per le applicazioni portatili VGS(th) = -0,68 V

Interruttore di carico high-side e interruttore di carica per dispositivi portatili

Gestione dell'alimentazione in dispositivi portatili a batteria

Driver LED

Convertitori c.c.-c.c.

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