MOSFET Nexperia, canale P, 950 mΩ, 2,9 A, DFN1010D-3, Montaggio superficiale

MOSFET Trench a canale P da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un contenitore di plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench
Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm
Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 1,5 kV HBM
Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 69 mΩ
Bassa tensione di soglia gate-source per le applicazioni portatili VGS(th) = -0,68 V
Interruttore di carico high-side e interruttore di carica per dispositivi portatili
Gestione dell'alimentazione in dispositivi portatili a batteria
Driver LED
Convertitori c.c.-c.c.