MOSFET Nexperia, canale Tipo P -20 V, 950 mΩ Miglioramento, -2.9 A, 4 Pin, DFN, Superficie PMXB75UPEZ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
153-1936
Codice costruttore:
PMXB75UPEZ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-2.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

950mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

8.33W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.36mm

Lunghezza

1.15mm

Larghezza

1.05 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Trench a canale P da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un contenitore di plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm

Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 1,5 kV HBM

Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 69 mΩ

Bassa tensione di soglia gate-source per le applicazioni portatili VGS(th) = -0,68 V

Interruttore di carico high-side e interruttore di carica per dispositivi portatili

Gestione dell'alimentazione in dispositivi portatili a batteria

Driver LED

Convertitori c.c.-c.c.

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