2 MOSFET a trincea Nexperia Duale, canale Tipo P, 3.5 Ω, 500 mA -20 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

5,175 €

(IVA esclusa)

6,325 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 7075 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 +0,207 €5,18 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
152-8344
Codice costruttore:
PMDXB950UPELZ
Costruttore:
Nexperia
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET a trincea

Massima corrente di scarico continua Id

500mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

DFN

Serie

Trench MOSFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

4025mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.19nC

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Altezza

0.36mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

1.15mm

Larghezza

1.05 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P. La soluzione perfetta per il proprio progetto quando i canali N semplicemente non sono idonei. La nostra ampia scelta di MOSFET include anche molte famiglie di dispositivi a canale P, basati su tecnologia Trench leader del settore firmata Nexperia. Con un valore nominale da 12 a 70 V e alloggiati in contenitori a bassa e media potenza, offrono la nostra nota combinazione di alta efficienza ed elevata affidabilità.

MOSFET Trench a canale P doppio da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P doppio in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010B-6 (SOT1216) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Bassa corrente di dispersione

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm

Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 1 kV HBM

Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 1,02 mΩ

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico high-side

Circuiti di commutazione

Link consigliati