MOSFET Nexperia, canale P, 3,5 Ω, 500 mA, DFN1010B-6, Montaggio superficiale

MOSFET a canale P. La soluzione perfetta per il proprio progetto quando i canali N semplicemente non sono idonei. La nostra ampia scelta di MOSFET include anche molte famiglie di dispositivi a canale P, basati su tecnologia Trench leader del settore firmata Nexperia. Con un valore nominale da 12 a 70 V e alloggiati in contenitori a bassa e media potenza, offrono la nostra nota combinazione di alta efficienza ed elevata affidabilità.

MOSFET Trench a canale P doppio da 20 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P doppio in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010B-6 (SOT1216) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Bassa corrente di dispersione
Tecnologia MOSFET Trench
Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm
Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 1 kV HBM
Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 1,02 mΩ
Driver relè
Driver di linea ad alta velocità
Interruttore di carico high-side
Circuiti di commutazione