MOSFET Nexperia, canale N, 5,7 Ω, 260 mA, DFN1010B-6, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N 40 V - 60 V. MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).

Doppio MOSFET Trench a canale N, 60 V. Doppio transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010B-6 (SOT1216) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico
Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile, senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm
Tecnologia MOSFET Trench
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM
Driver relè
Driver di linea ad alta velocità
Interruttore di carico low-side
Circuiti di commutazione