2 MOSFET a trincea Nexperia Duale, canale Tipo N, 5.7 Ω, 260 mA 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin NX7002BKXBZ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
153-1880
Codice costruttore:
NX7002BKXBZ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET a trincea

Massima corrente di scarico continua Id

260mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DFN

Serie

Trench MOSFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.7Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

4032mW

Minima temperatura operativa

150°C

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

1.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.36mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N 40 V - 60 V. MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).

Doppio MOSFET Trench a canale N, 60 V. Doppio transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010B-6 (SOT1216) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Compatibile a livello logico

Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile, senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm

Tecnologia MOSFET Trench

Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM

Driver relè

Driver di linea ad alta velocità

Interruttore di carico low-side

Circuiti di commutazione

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