2 MOSFET a trincea Nexperia Duale, canale N, 5.7 Ω, 260 mA 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin NX7002BKXBZ
- Codice RS:
- 153-1880
- Codice costruttore:
- NX7002BKXBZ
- Costruttore:
- Nexperia
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
- Codice RS:
- 153-1880
- Codice costruttore:
- NX7002BKXBZ
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | MOSFET a trincea | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 260mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.7Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 4032mW | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Lunghezza | 1.15mm | |
| Larghezza | 1.05mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.36mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto MOSFET a trincea | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 260mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package DFN | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.7Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 4032mW | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Lunghezza 1.15mm | ||
Larghezza 1.05mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.36mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N 40 V - 60 V. MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).
Doppio MOSFET Trench a canale N, 60 V. Doppio transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010B-6 (SOT1216) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.
Compatibile a livello logico
Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile, senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm
Tecnologia MOSFET Trench
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): > 2 kV HBM
Driver relè
Driver di linea ad alta velocità
Interruttore di carico low-side
Circuiti di commutazione
Link consigliati
- 2 MOSFET a trincea Nexperia Duale 5.7 Ω DFN 8 Pin
- 2 MOSFET a trincea Nexperia Duale 3.5 Ω DFN 8 Pin
- 2 MOSFET a trincea Nexperia Duale 13 Ω TSSOP 6 Pin
- 2 MOSFET a trincea Nexperia Duale 13 Ω TSSOP 6 Pin NX3020NAKS,115
- 2 MOSFET a trincea Nexperia Duale Tipo N 350 mA 30 V Superficie Miglioramento, 6 Pin
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale -4.5 A 20 V Superficie Miglioramento, 6 Pin
- 2 MOSFET onsemi Duale 3.9 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Duale 41 mΩ DFN 8 Pin