MOSFET Nexperia, canale P, 187 mΩ, 2,4 A, DFN1010D-3, SOT1215, Montaggio superficiale

MOSFET a canale P. La soluzione perfetta per il proprio progetto quando i canali N semplicemente non sono idonei. La nostra ampia scelta di MOSFET include anche molte famiglie di dispositivi a canale P, basati su tecnologia Trench leader del settore firmata Nexperia. Con un valore nominale da 12 V a 70 V e alloggiati in contenitori a bassa e media potenza, offrono la nostra nota combinazione di alta efficienza ed elevata affidabilità.

30 V, MOSFET Trench a canale P. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale P in un contenitore ultra-piccolo senza terminale in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) DFN1010D-3 (SOT1215) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench
Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e ultra-sottile, senza cavi: 1,1 x 1 x 0,37 mm
Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 1 kV HBM
Resistenza in stato attivo drain-source RDSon = 350 mΩ