MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 87 mΩ Miglioramento, 3.2 A, 4 Pin, DFN, Superficie
- Codice RS:
- 153-0731
- Codice costruttore:
- PMXB56ENZ
- Costruttore:
- Nexperia
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,10 € | 500,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 153-0731
- Codice costruttore:
- PMXB56ENZ
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 87mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 8.33W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.36mm | |
| Larghezza | 1.05 mm | |
| Lunghezza | 1.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 87mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 8.33W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.36mm | ||
Larghezza 1.05 mm | ||
Lunghezza 1.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N da 25 V - 30 V. Ottime prestazioni grazie al know-how tecnologico avanzato. MOSFET facili da usare e operativi nella gamma da 25 a 30 V. Perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione, offrono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area) Serve una tensione nominale diversa? Controllate il nostro enorme portafoglio per conoscere altre opzioni.
MOSFET Trench a canale N da 30 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.
Tecnologia MOSFET Trench
Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e sottile, senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm
Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica
Resistenza in stato attivo drain-source RDSon molto bassa = 49 mΩ
Commutazione rapidissima
Interruttore di carico low-side e interruttore di carica per dispositivi portatili
Gestione dell'alimentazione in dispositivi portatili a batteria
Driver LED
Convertitori c.c.-c.c.
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