MOSFET Nexperia, canale N, 121 mΩ, 3,2 A, DFN1010D-3, Montaggio superficiale

MOSFET Trench a canale N da 12 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench
Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e sottile, senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm
Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica
Protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD): 1 kV
Resistenza in stato attivo drain-source RDSon molto bassa = 34 mΩ
Tensione di soglia molto bassa di soli 0,65 V per applicazioni portatili
Interruttore di carico low-side e interruttore di carica per dispositivi portatili
Gestione dell'alimentazione in dispositivi portatili a batteria
Driver LED
Convertitori c.c.-c.c.