MOSFET Nexperia, canale N, 87 mΩ, 3,2 A, DFN1010D-3, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N da 25 V - 30 V. Ottime prestazioni grazie al know-how tecnologico avanzato. MOSFET facili da usare e operativi nella gamma da 25 a 30 V. Perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione, offrono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area) Serve una tensione nominale diversa? Controllate il nostro enorme portafoglio per conoscere altre opzioni.

MOSFET Trench a canale N da 30 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench
Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e sottile, senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm
Drenaggio esposto per un'eccellente conduzione termica
Resistenza in stato attivo drain-source RDSon molto bassa = 49 mΩ
Commutazione rapidissima
Interruttore di carico low-side e interruttore di carica per dispositivi portatili
Gestione dell'alimentazione in dispositivi portatili a batteria
Driver LED
Convertitori c.c.-c.c.