MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 87 mΩ Miglioramento, 3.2 A, 4 Pin, DFN, Superficie PMXB56ENZ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
153-1892
Codice costruttore:
PMXB56ENZ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

87mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

8.33W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.15mm

Larghezza

1.05 mm

Altezza

0.36mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N da 25 V - 30 V. Ottime prestazioni grazie al know-how tecnologico avanzato. MOSFET facili da usare e operativi nella gamma da 25 a 30 V. Perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione, offrono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area) Serve una tensione nominale diversa? Controllate il nostro enorme portafoglio per conoscere altre opzioni.

MOSFET Trench a canale N da 30 V. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un contenitore in plastica ultra-piccolo senza terminali DFN1010D-3 (SOT1215) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD) che impiega la tecnologia MOSFET Trench.

Tecnologia MOSFET Trench

Contenitore in plastica SMD ultra-piccolo e sottile, senza terminali: 1,1 x 1 x 0,37 mm

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