MOSFET onsemi, canale N, 4,4 mΩ, 157 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 172-8785
Codice costruttore:: NTMFS6H801NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 4,4 mΩ, 157 A, DFN, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)**

0,805 €

(IVA esclusa)

0,982 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
1500 +	0,805 €	1.207,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 172-8785
Codice costruttore:: NTMFS6H801NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	157 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	5
Resistenza massima drain source	4,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	166 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	64 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	6.1mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.1mm
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 4,4 mΩ, 157 A, DFN, Montaggio superficiale

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