MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 4.4 mΩ Miglioramento, 157 A, 5 Pin, DFN, Superficie

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Codice RS:
172-8785
Codice costruttore:
NTMFS6H801NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

157A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NTMFS6H801N

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

166W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

64nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Lunghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza commerciale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Design compatto

Bassa resistenza RDS(on)

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

QG e capacità bassi

Riduce le perdite di driver

Applicazioni

Alimentatori switching

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Sistemi da 48 V

Controllo motori

Interruttore di carico

Convertitore CC/CC

Raddrizzatore sincrono

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