MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 337 A, 8 Pin, DFN, Superficie

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Codice RS:
195-2676
Codice costruttore:
NVMTS1D2N08H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

337A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

147nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

8 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Fiancata bagnabile per una migliore ispezione Ottica. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Ingombro ridotto (8x8 mm)

Design compatto

Bassa resistenza RDS(on)

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

QG e capacità bassi

Riduce le perdite di driver

Opzione con fiancata bagnabile

Ispezione visiva migliorata

Capacità PPAP

Applicazione

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

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