MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 1.15 mΩ Miglioramento, 337 A, 8 Pin, DFN, Superficie NTMFS0D8N03CT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6728
Codice costruttore:
NTMFS0D8N03CT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

337A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

DFN

Serie

NTMFS0D8N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

1.1 mm

Altezza

6.3mm

Lunghezza

5.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza 30V on Semiconductor ha utilizzato 337 A di corrente di drain con canale N−singolo. Migliora la gestione della corrente di spunto e migliora anche l'efficienza del sistema.

Pacchetto Advanced (5x6mm)

RDS(ON) ultra bassa per migliorare l'efficienza del sistema

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