MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 268 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS5C420NT1G

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

23,48 €

(IVA esclusa)

28,65 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 1500 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 902,348 €23,48 €
100 - 2402,024 €20,24 €
250 +1,756 €17,56 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6756
Codice costruttore:
NVMFS5C420NT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

268A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Serie

NVMFS5C

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

82nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6.3mm

Larghezza

1.1 mm

Altezza

5.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza per uso automobilistico on Semiconductor in contenitore con cavo piatto 5x6mm è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. È disponibile per una migliore ispezione ottica. MOSFET certificato AEC-Q101 e capacità PPAP adatti per le applicazioni automobilistiche.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver

Link consigliati