MOSFET onsemi, canale N, 268 mΩ, 2,9 A, WDFN, Montaggio superficiale

Questo dispositivo è stato progettato specificamente come una soluzione a pacchetto singolo per i requisiti di commutazione doppio nel telefono cellulare e in altre applicazioni ultraportatili. È dotato di due MOSFET a canale N indipendenti con bassa resistenza allo stato attivo per perdite di conduzione minime. Il MicroFET 2x2 offre prestazioni termiche eccezionali per le sue dimensioni fisiche ed è adatto per applicazioni in modalità lineare.

2,9 A, 30 V.
RDS(ON) = 123 mΩ a VGS = 4,5 V.
RDS(ON) = 140 mΩ a VGS = 3,0 V.
RDS(ON) = 163 mΩ a VGS = 2,5 V.
Basso profilo - 0,8 mm massimo - nella nuova confezione MicroFET 2x2 mm
Livello di protezione ESD HBM = 1,8kV (nota 3)
Non contenenti composti alogenati e ossidi di antimonio
Applicazioni
Questo prodotto è di uso generale e adatto per molte applicazioni diverse