2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 2.9 mΩ, 127 A 40 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin NVMFD5C446NT1G

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2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 2.9 mΩ, 127 A 40 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin
Codice RS
178-4296

Unità (Su Bobina da 1500)

1,832 €

(IVA esclusa)

2,235 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
178-4437
Codice costruttore:
NVMFD5C446NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

127A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Tensione diretta Vf

0.8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Minima temperatura operativa

175°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Larghezza

6.1 mm

Lunghezza

5.1mm

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.

Caratteristiche

Bassa resistenza in stato attivo

Capacità di corrente elevata

Capacità PPAP

NVMFD5C446NWF - Opzione con fiancata bagnabile

Vantaggi

Perdite di conduzione minime

Prestazioni a pieno carico

Protezione contro i guasti da eccessive sollecitazioni di tensione

Adatto per applicazioni nel settore automobilistico

Ispezione visiva migliorata

Applicazioni

Driver solenoide

Driver low side /high side

Prodotti finali

Controller motore nel settore automobilistico

Sistemi di frenatura antiblocco

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