2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 8.8 mΩ, 74 A 80 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 195-2670
- Codice costruttore:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*
1848,00 €
(IVA esclusa)
2254,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 03 febbraio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 1,232 € | 1.848,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 195-2670
- Codice costruttore:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 74A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.1W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minima temperatura operativa | 175°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 74A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.1W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC | ||
Minima temperatura operativa 175°C | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.05mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Ingombro ridotto (5x6 mm)
Design compatto
Bassa resistenza RDS(on)
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
QG e capacità bassi
Riduce le perdite di driver
NVMFS5C410NLWF - Opzione Wettable Flank
Ispezione visiva migliorata
Capacità PPAP
Applicazione
Protezione dalle inversioni di polarità della batteria
Alimentatori switching
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Link consigliati
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 8.8 mΩ DFN 8 Pin
- MOSFET onsemi 8.8 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 8.8 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie NVMFS5C670NLT1G
- MOSFET onsemi 8.8 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie NTMFS5C670NLT1G
- MOSFET onsemi 8.8 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie NVMFS5C670NLWFAFT1G
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 2.9 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 5.4 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 14.5 mΩ DFN 8 Pin