MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 74 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2670
Codice costruttore:: NVMFD6H840NLWFT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 74 A, DFN, Montaggio superficiale

Prezzo per 1 bobina da 1500 unità**

1.495,50 €

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Confronta

Codice RS:: 195-2670
Codice costruttore:: NVMFD6H840NLWFT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVMFD6H840NLWFT1G

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	74 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	8,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	3,1 W
Configurazione transistor	Doppio
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 10 V
Larghezza	5.1mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	6.1mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 74 A, DFN, Montaggio superficiale

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