MOSFET onsemi, canale N 60 V, 8.8 mΩ Miglioramento, 71 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS5C670NLWFAFT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-8388
Codice costruttore:
NVMFS5C670NLWFAFT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

71A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NVMFS5C670NL

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

900mV

Dissipazione di potenza massima Pd

61W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.1mm

Larghezza

5.1mm

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. Compatibile PPAP per applicazioni nel settore automobilistico.

Bassa resistenza RDS(on)

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

QG e capacità gate bassi

Riduzione al minimo delle perdite di commutazione

Contenitore conforme allo standard industriale 5x6 mm

Design compatto e ingombro standard per inserimento diretto dall'alto

FOM migliore nella categoria (RDS(ON) x Qg)

Maggiore efficienza, minore dissipazione di potenza

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Alimentatori switching

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Driver per solenoide - ABS, iniezione di carburante

Controllo del motore - EPS, tergicristalli, ventilatori, sedili, ecc.

Interruttore di distribuzione di carico - ECU, pannello, corpo

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